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Semiconductor

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Marking

Strip marker
(2 beam/4 beam marker)

  • 半导体用 4 beam strip 打标机,使用 slot和stack magazine具备loading/unloading的设备。 根据Strip handling的方法分为shuttle类型和rail类型两种,根据顾客要求可采用材料loading/unloading方式可以构成1 in 1 out、2 in 2 out的结构。
Strip marker
Shuttle type把Strip本身放在shuttle上handling
Rail type可将Strip通过motor,沿着 Rail快速移送

Tray marker
(2 beam/4 beam marker)

  • 是根据内部配置构分为compact size 'U type'和 conventional 'I type'两种类型的 半导体标记设备。
Tray marker
U type 占据空间小,tray移动距离短,操作方便
I type 可以搭载较大激光器的设备

Wafer back side marker
CSM3200/3300

  • 使用半导体 chip scale wafer level marker用于wafer背面无损打标的一款设备。
    通过自动 calibration自动校正 scanner acuracy,通过自动打标检测功能确认打标结果
Wafer back side marker/CSM3200/3300
Combination type可将FFC 和 wafer在同一个设备加工的复合设备

Wafer top side marker
WTM200/300

  • 用于wafer 上进行 Wafer reference die、 bad die、 wafer ID打标的设备 可高速加工,提供操作便利,程序易于更改的wafer top side打标solution
Wafer top side marker/WTM200/300

Wafer ID marker
WM080/012

  • 用于可在 Cleanroom使用的 wafer ID专用的marking system,可保证高度稳定性并实现高速加工。 搭载了用户可以直接编辑的 OCR edit功能。
Wafer top side marker/WTM200/300

Grooving & Dicing

LMC3200G/LMC3200D

  • Grooving - LMC3200G 通过laser scribing,提前去除由wafer
      sawlane的Low-k物质及因为金属排线层构成的涂层,
      从而在后续Blade Dicing工序处理时,减少芯片的不良发生,提高芯片生产效率。

  • Dicing      - LMC3200D主要是用激光直接切割厚度在200微米以下的wafer的设备。
      与必须经常以消耗性替换刀片的lade Dicing不同,该设备的激光更换零件周期较长,
      且结构永久性相对较好,在COO侧面非常有利。
      在品质方面,由于是非接触式加工,因此可以减少加工中出现的问题,实现高速加工。
Wafer top side marker/WTM200/300

Cutting

PKG cutting
BMC254

  • 用于切割各种 Strip (substrate) 的package cutting设备。
    采用 Align vision及自动扫描功能,具有高精准性,通过Flying加工方式实现高效生产。
PKG cutting/BMC254

Drilling

PoP drilling
BMC204P

  • 适用于 Strip 和 wafer type的 BGA, DSMBGA, POP的package drilling设备。
    采用 Align vision及自动扫描功能,具有高精准性,通过Flying加工方式实现高效生产。
PoP drilling/BMC204P

雷射退火

晶圓退火

  • 目的 :
    -矽晶圓結晶化
    -掺杂剂活化
    -表面熔融
    -空隙縫隙去除
  • 特点:
    -可配置化有选择性雷射波长光学模组
    -全面即时监控与控制
    -客製化光束調整
    -高产能
LAtonLAton-RLApollon
 
· 基础型
- 熔融与空隙缝隙去除
- 结晶化
- 掺杂剂活化
 
· 优化型
- 兼容基础型特性
- 改善能量稳定性
- 提升抖动稳定性
- 改善脉冲波均匀性
 
· 高阶型
- 兼容基础型与优化型特性
- 比优化型(Laton-R)生产效率高 25%
IGBT/wafer annealing/EO LAton
雷射 提供多种波长选择
光学 可客制化光束轮廓

功率设备退火

  • 目的 :
    -镍矽化物形成用于 SiC 欧姆接触
    -掺杂剂活化于IGBT 背面
  • 特点:
    -可配置化有选择性雷射波长光学模组
    -全面即时监控与控制
    -客制化光束调整
    -高产能
  • ULA-200A
 
· 基础型
- 矽化镍生成
- 結晶化
- 掺杂剂活化
Tray marker
雷射 提供多种波长范围选择
光学 可客制化光束轮廓

Debonding

WD400U/BMDB400UPN

  • WD400U / BMDB400UPN 用于 WLP/PLP 雷射脱胶。高度翘曲的薄晶圆/面板必须搭配载具操作。 该雷射脱胶系统在将晶圆/面板从载具分离时,提供最快的生产效率及最低的应力
WD400U/BMPB400UP
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